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以碳化硅(SiC) 、氮化鎵( GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料稱為第三代半導(dǎo)體材料。和第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2ev）,也稱為高溫半導(dǎo)體材料。

此外，第三代半導(dǎo)體材料由于具有發(fā)光效率高、頻率高等特點，從而在一些藍、綠、紫光的發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器等方面有著廣泛的應(yīng)用。順便說一句，這類寬禁帶的半導(dǎo)體材料由于其電子在能帶之間的躍遷效率高，并且在躍遷時放出光子的能量高，因此會有較高的光發(fā)射效率，光子發(fā)射的頻率也較高。

從目前第三代半導(dǎo)體材料和器件的研究來看，較為成熟的是碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體材料，其中碳化硅技術(shù)最為成熟，而氧化鋅、金剛石和氮化鋁等寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究尚屬起步階段，相信隨著研究的不斷深入，其應(yīng)用前景將十分廣闊。